4月9日至11日，，，，，，新利18微电子参展第五届中国电子信息展览会（CITE 2017）。。。。。。。。展会上，，，，，，新利18微电子隶属公司新利18矽科“切合QI标准的单片无线充电吸收电路CS4978”、新利18华晶“超结功率MOS型场效应晶体管DSMOS HPP650R1K9DN”、新利18半导体“长爬距光耦HK101X”荣获立异产品与应用奖。。。。。。。。工业和信息化部副部长刘利华、电子信息司司长刁石京、广东省人民政府副省长袁宝成、深圳市人民政府副市长陈彪等向导莅临新利18微电子展台旅行指导。。。。。。。。同期，，，，，，珠海市副市长芦晓凤一行莅临展台，，，，，，深入相识新利18微电子公司的情形。。。。。。。。
　　新利18微电子展台展示半导体全工业链特征、重点产品偏向、特色工艺，，，，，，通过物联网、绿色节能、智慧生涯三大重点应用场景以及无线充电互动体验设置，，，，，，将公司的产品、晶圆制造工艺、封装等优势产品通过终端应用的方法泛起。。。。。。。。展会现场同期举行了新利18矽科无线充电计划、新利18华晶DSMOS产品现场交流会，，，，，，赢得宽大专业人士的关注。。。。。。。。
　　新利18矽科“切合Qi标准的单片无线充电吸收电路CS4978”，，，，，，提供AC/DC电源转换的同时集成了切合QI标准的身份认证和通讯功效。。。。。。。。电路集成了同步低阻整流器、低压降稳压器、数字控制以及准确的电压电流控制环路，，，，，，确保高效率与低功耗。。。。。。。。
　　新利18华晶“超结功率MOS型场效应晶体管DSMOS HPP650R1K9DN”，，，，，，具有在一律条件下比古板的平面DMOS芯片面积缩小30%以上，，，，，，相对CoolMOS具有更好的EMI特征及性价比。。。。。。。。
　　新利18半导体“长爬距光耦HK101X”，，，，，，具有长爬电距离、高隔离电压、开关速率快、抗静电能力强和使用寿命长的特点，，，，，，同时光电流对档率完全自主可控。。。。。。。。